型号: IXDN502SIA
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
驱动配置： 低压侧
通道类型： 独立式
驱动器数： 2
栅极类型： IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 电源： 4.5 V ~ 30 V
逻辑电压 - VIL，VIH： 0.8V，3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： 2A，2A
输入类型： 非反相
上升/下降时间（典型值）： 7.5ns，6.5ns
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装： 8-SOIC
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13714891825
Q Q:
联系人：郭声
Q Q:
联系人：朱小姐
Q Q:
