型号: IXDN55N120D1
功能描述: IGBT 晶体管 55 Amps 1200V
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: SOT-227B-4
安装风格: SMD/SMT
配置: Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.3 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
系列: IXDN55N120
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 100 A
高度: 9.6 mm
长度: 38.23 mm
宽度: 25.42 mm
商标: IXYS
集电极连续电流: 100 A
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
单位重量: 30 g
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