型号: IXFA3N120TRL
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 39nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1050pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 200W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 4.5 欧姆 @ 1.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-263
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：赵
电话：13823158773
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：肖圣
电话：17825673949
Q Q:
联系人：陈彬
电话：18123754219
Q Q:
联系人：陈
电话：18101073669
Q Q:
联系人：廖伟颂
Q Q:
