型号: IXFA7N100P
功能描述: MOSFET 7 Amps 1000V
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.9 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 6 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 47 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
高度: 4.83 mm
长度: 9.65 mm
系列: IXFA7N100
类型: Polar HiPerFET Power MOSFET
宽度: 10.41 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 3.6 S
下降时间: 44 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 49 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 42 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 1.600 g
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