型号: IXFB82N60Q3
功能描述: IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB82N60Q3, 82 A, Vds=600 V, 3引脚 PLUS264封装
制造商: IXYS
通道类型： N
最大连续漏极电流： 82 A
最大漏源电压： 600 V
最大漏源电阻值： 75 m0hms
最大栅阈值电压： 6.5V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： PLUS264
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 1.56 kW
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +150 °C
每片芯片元件数目： 1
长度： 20.29mm
高度： 26.59mm
系列： HiperFET, Q3-Class
宽度： 5.31mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 275 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 13500 pF@ 25 V
典型关断延迟时间： 60 ns
典型接通延迟时间： 40 ns
尺寸： 20.29 x 5.31 x 26.59mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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