型号: IXFE24N100
功能描述: MOSFET 22 Amps 1000V 0.39 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: ISOPLUS-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 22 A
Rds On-漏源导通电阻: 390 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 9.65 mm
长度: 38.23 mm
系列: IXFE24N100
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 25.42 mm
商标: IXYS
下降时间: 21 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:Alien
联系人:朱小姐
电话:13725570869
联系人:陈晓玲
电话:18126117392
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:刘远威
电话:13528851884
联系人:杨
电话:13923704119
联系人:张女士,曾先生
电话:13169937168