型号: IXFE55N50
功能描述: MOSFET 52 Amps 500V 0.08 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: ISOPLUS-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 47 A
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 9.65 mm
长度: 38.23 mm
系列: IXFE55N50
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 25.42 mm
商标: IXYS
下降时间: 45 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 60 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 120 ns
典型接通延迟时间: 45 ns
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:Alien
联系人:林炜东,林俊源
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:樊勉
电话:17621743344
联系人:颜小姐
电话:13380394549
联系人:陈玲玲
电话:18126117392
联系人:杜小姐
电话:13715109526
联系人:张先生
电话:13760244663
联系人:杨
电话:15882513169
Q Q: