型号: IXFH120N25T
功能描述: MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 180 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 890 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: IXFH120N25T
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
下降时间: 19 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 16 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 32 ns
单位重量: 1.600 g
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