型号: IXFH160N15T2
功能描述: MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 160 A
Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 253 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 880 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
高度: 21.46 mm
长度: 16.26 mm
系列: IXFH160N15
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
宽度: 5.3 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 80 S
下降时间: 26 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 37 ns
单位重量: 1.600 g
联系人:林小姐
电话:13713988890
联系人:杨晓芳
电话:13430590551
联系人:蔡经理,张小姐
电话:13378422395
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:肖瑶,树平
电话:17318082080
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:杨先生
电话:13352985419
联系人:曾森
电话:13480711352
Q Q:
联系人:贺经理
电话:86-7552699
Q Q:
联系人:赖女士
电话:13416384212