型号: IXFH18N65X2
功能描述: DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS T
制造商: IXYS
包装: 管件
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 200 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 29nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1520pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 290W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247（IXFH）
封装/外壳: TO-247-3
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：小林
电话：15766460736
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：陈诚
电话：13319535224
Q Q:
联系人：胡先生
电话：15013671871
Q Q:
联系人：刘小曹
电话：18621925260
Q Q:
