型号: IXFH26N60Q
功能描述:
制造商: IXYS
系列： HiPerFET™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 26A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 4mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 200nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 5100pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 360W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 250 毫欧 @ 13A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
封装形式Package： TO-247AD
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 600V
连续漏极电流ID： 26A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
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Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：邱松晓
电话：15919803090
Q Q:
联系人：刘威
Q Q:
联系人：余倩
电话：18976149727
Q Q:
