型号: IXFH30N50Q3
功能描述: IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH30N50Q3, 30 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
制造商: IXYS
通道类型: N
最大连续漏极电流: 30 A
最大漏源电压: 500 V
最大漏源电阻值: 200 m0hms
最大栅阈值电压: 6.5V
最大栅源电压: -20 V、+20 V
封装类型: TO-247
安装类型: 通孔
晶体管配置: 单
引脚数目: 3
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 690 W
最低工作温度: -55 °C
高度: 16.26mm
每片芯片元件数目: 1
最高工作温度: +150 °C
系列: HiperFET, Q3-Class
宽度: 5.3mm
晶体管材料: Si
典型栅极电荷@Vgs: 62 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds: 3200 pF @ 25 V
典型关断延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
尺寸: 16.26 x 5.3 x 16.26mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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