型号: IXFH60N20F
功能描述: MOSFET
制造商: IXYS
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 60 A
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Rds On-漏源导通电阻: 38 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 315 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
封装: Tube
商标: IXYS
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 7 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 14 ns
工厂包装数量: 30
典型关闭延迟时间: 42 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13652405995
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：蔡泽锋
电话：13360526935
Q Q:
联系人：孙家林
电话：15010158565
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13428777359
Q Q:
联系人：罗先生
电话：18320773898
Q Q:
