型号: IXFH6N100Q
功能描述: MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.9 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 180 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 21.46 mm
长度: 16.26 mm
系列: IXFH6N100
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.3 mm
商标: IXYS
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
单位重量: 6.500 g
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：何志平
电话：15307359078
Q Q:
联系人：邹沫
电话：13556812296
Q Q:
联系人：梅
电话：13072755204
Q Q:
