型号: IXFH80N65X2-4
功能描述: Ultra junction MOSFET 80A 650V TO247
制造商: IXYS
通道类型： N
最大连续漏极电流： 80 A
最大漏源电压： 650 V
最大漏源电阻值： 38 m0hms
最大栅阈值电压： 5V
最小栅阈值电压： 3.5V
最大栅源电压： ±30 V
封装类型： TO-247
安装类型： 通孔
晶体管配置： 单
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 890 W
最低工作温度： -55 °C
高度： 21.34mm
正向二极管电压： 1.4V
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 16.13 x 5.21 x 21.34mm
宽度： 5.21mm
系列： HiperFET
典型栅极电荷@Vgs： 140 @ 10 V nC
典型输入电容值@Vds： 8300 pF @ 25 V
典型关断延迟时间： 70 ns
典型接通延迟时间： 32 ns
最高工作温度： +150 °C
长度： 16.13mm
正向跨导： 55S
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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