型号: IXFK150N30P3
功能描述: IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK150N30P3, 150 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-264封装
制造商: IXYS
通道类型： N
最大连续漏极电流： 150 A
最大漏源电压： 300 V
最大漏源电阻值： 19 m0hms
最大栅阈值电压： 5V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： TO-264
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 1.3 kW
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +150 °C
每片芯片元件数目： 1
长度： 19.96mm
高度： 26.16mm
系列： HiperFET, Polar3
宽度： 5.13mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 197 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 12100 pF@ 25 V
典型关断延迟时间： 74 ns
典型接通延迟时间： 44 ns
尺寸： 19.96 x 5.13 x 26.16mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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