型号:  IXFK200N10P

功能描述:  MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds

制造商:  

制造商:  IXYS

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-264-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  200 A

Rds On-漏源导通电阻:  7.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  235 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  830 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  HiPerFET

封装:  Tube

高度:  26.59 mm

长度:  20.29 mm

系列:  IXFK200N10

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  Polar HiPerFET Power MOSFET

宽度:  5.31 mm

商标:  IXYS

正向跨导 - 最小值:  60 S

下降时间:  90 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  35 ns

工厂包装数量:  25

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  150 ns

典型接通延迟时间:  30 ns

单位重量:  10 g