型号: IXFK300N20X3
功能描述: MOSFET N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-264-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 300 A
Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 375 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1250 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: X3-Class
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 80 S
下降时间: 13 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 43 ns
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 184 ns
典型接通延迟时间: 44 ns
单位重量: 10 g
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