型号: IXFK52N100X
功能描述: MOSFET 52A 1000V POWER MOSFET
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-264-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 52 A
Rds On-漏源导通电阻: 125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 245 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 kW
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: X-Class
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 23 S
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 13 ns
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 107 ns
典型接通延迟时间: 34 ns
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