型号: IXFM6N100
功能描述: MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds
制造商: IXYS
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 6 A
Vds-漏源极击穿电压: 1000 V
Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 180 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3
封装: Tube
商标: IXYS
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 60 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 40 ns
工厂包装数量: 20
商标名: HiPerFET
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
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