型号: IXFN132N50P3
功能描述: MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 112 A
Rds On-漏源导通电阻: 39 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 250 nC
Pd-功率耗散: 1.5 kW
配置: Single
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: IXFN132N50
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 115 S, 68 S
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
单位重量: 30 g
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