IXFN360N15T2规格参数_IXFN360N15T2全国代理商/分销商

型号: IXFN360N15T2
功能描述: N-Channel 150 V 1070 W 715 nC TranchT2 HiperFET Power MosFet SMT - SOT-227
制造商: IXYS
系列： GigaMOS™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 310A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 5V @ 8mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 715nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 47500pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 1070W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 4 毫欧 @ 60A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC
封装形式Package： SOT-227B
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 150V
连续漏极电流ID： 310A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs