型号: IXFN50N50
功能描述: MOSFET 50 Amps 500V 0.1 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 600 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 9.6 mm
长度: 38.23 mm
系列: IXFN50N50
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 25.42 mm
商标: IXYS
下降时间: 45 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 60 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 120 ns
典型接通延迟时间: 45 ns
单位重量: 30 g
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：小冯
电话：18964592030
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：罗生
电话：13106933462
Q Q:
联系人：聂小梅
电话：13560767759
Q Q:
联系人：王利强
电话：18502198895
Q Q:
