型号:  IXFN82N60P

功能描述:  MOSFET DIODE Id82 BVdass600

制造商:  

制造商:  IXYS

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Chassis Mount

封装 / 箱体:  SOT-227-4

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  72 A

Rds On-漏源导通电阻:  75 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  240 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.04 kW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  HiPerFET

封装:  Tube

高度:  12.22 mm

长度:  38.23 mm

系列:  IXFN82N60

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  Polar HiPerFET Power MOSFET

宽度:  25.42 mm

商标:  IXYS

正向跨导 - 最小值:  50 S

下降时间:  24 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  23 ns

工厂包装数量:  10

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  79 ns

典型接通延迟时间:  28 ns

单位重量:  30 g