型号:  IXFP130N10T2

功能描述:  MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET

制造商:  

制造商:  IXYS

产品种类:  MOSFET

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  130 A

Rds On-漏源导通电阻:  9.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  130 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  360 W

通道模式:  Enhancement

商标名:  HiPerFET

封装:  Tube

高度:  16 mm

长度:  10.66 mm

系列:  IXFP130N10

类型:  TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

宽度:  4.83 mm

商标:  IXYS

正向跨导 - 最小值:  45 S

下降时间:  25 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  38 ns

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  24 ns

典型接通延迟时间:  16 ns

单位重量:  350 mg