型号: IXFP72N20X3
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 72A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 55nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 3780pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 320W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 20 毫欧 @ 36A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：小林
电话：15766460736
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Michael
Q Q:
联系人：但敏
电话：18372711485
Q Q:
联系人：王先生
电话：15013461744
Q Q:
