型号: IXFQ50N50P3
功能描述: IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFQ50N50P3, 50 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3P封装
制造商: IXYS
通道类型： N
最大连续漏极电流： 50 A
最大漏源电压： 500 V
最大漏源电阻值： 125 m0hms
最大栅阈值电压： 5V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： TO-3P
安装类型： 通孔
晶体管配置： 单
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 960 W
典型接通延迟时间： 25 ns
典型关断延迟时间： 53 ns
典型输入电容值@Vds： 4335 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs： 85 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
系列： HiperFET, Polar3
宽度： 4.9mm
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +150 °C
长度： 15.8mm
高度： 20.3mm
尺寸： 15.8 x 4.9 x 20.3mm
每片芯片元件数目： 1
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：小林
电话：15766460736
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：江
电话：18927937485
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：17819260656
Q Q:
联系人：李德翔
Q Q:
