型号: IXFR12N100F
功能描述: MOSFET
制造商: IXYS
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 10 A
Vds-漏源极击穿电压: 1000 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.05 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-247-3
封装: Tube
商标: IXYS
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 12 ns
最小工作温度: - 40 C
上升时间: 9.8 ns
工厂包装数量: 30
典型关闭延迟时间: 31 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
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