型号: IXFR26N60Q
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 23A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 200nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 5100pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 310W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 250 毫欧 @ 13A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： ISOPLUS247™
封装/外壳： ISOPLUS247™
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：黄先生
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13714891825
Q Q:
联系人：JUANY
Q Q:
