型号: IXFR64N60P
功能描述: MOSFET DIODE Id36 BVdass600
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 36 A
Rds On-漏源导通电阻: 105 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 360 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
高度: 21.34 mm
长度: 16.13 mm
系列: IXFR64N60
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.21 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 63 S
下降时间: 24 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 23 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 79 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
单位重量: 5.300 g
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