型号: IXFT12N50F
功能描述: IXYS Corporation [HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching]
制造商: IXYS
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 500 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 12 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.4 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-268
封装: Tube
下降时间: 8 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 180 W
上升时间: 14 ns
工厂包装数量: 30
典型关闭延迟时间: 28 ns
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