型号: IXFT32N50
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 300nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 5700pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 360W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 150 毫欧 @ 15A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-268
封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：陈梦，李丽
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：朱卫军
电话：15817285696
Q Q:
联系人：李熙强
电话：15914646839
Q Q:
联系人：郭
电话：15919838448
Q Q:
