型号: IXFT6N100F
功能描述: MOSFET IXFT6N100F 1000V 6A HIPERFET F-Class HiPerRF Capable MOSFETs
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-268-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.9 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 180 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 5.1 mm
长度: 16.05 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 14 mm
商标: IXYS
下降时间: 8.3 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8.6 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 31 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
单位重量: 6.500 g
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