型号: IXFV110N10PS
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 110nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 3550pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 480W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 15 毫欧 @ 500mA，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： PLUS-220SMD
封装/外壳： PLUS-220SMD
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：孙先生
Q Q:
联系人：劉
Q Q:
联系人：小明
电话：18998974297
Q Q:
