型号: IXFX120N25
功能描述: MOSFET 120 Amps 250V 0.022 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 560 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 21.34 mm
长度: 16.13 mm
系列: IXFX120N25
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.21 mm
商标: IXYS
下降时间: 35 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 38 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 175 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
单位重量: 1.600 g
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：小林
电话：15766460736
Q Q:
联系人：张巧云
电话：13534237128
Q Q:
联系人：祝
Q Q:
联系人：廖元伟
电话：13520508180
Q Q:
