型号:  IXFX21N100F

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXFX21N100F F-Class HiPerRF Capable MOSFET IXFX21N100F IXYS

制造商:  

制造商:  IXYS

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  N-Channel

技术:  Si

Id-连续漏极电流:  21 A

Vds-漏源极击穿电压:  1000 V

Rds On-漏源导通电阻:  500 mOhms

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-247-3

封装:  Tube

配置:  1 N-Channel

高度:  21.34 mm

长度:  16.13 mm

宽度:  5.21 mm

商标:  IXYS

正向跨导 - 最小值:  15 S

通道数量:  1 Channel

通道模式:  Enhancement

下降时间:  15 ns

Pd-功率耗散:  500 W

产品类型:  RF MOSFET Transistors

Qg-栅极电荷:  160 nC

上升时间:  16 ns

工厂包装数量:  30

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  3 V

单位重量:  4.500 g