型号: IXFX64N50P
功能描述: MOSFET 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PLUS247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 64 A
Rds On-漏源导通电阻: 85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 150 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 830 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
高度: 21.34 mm
长度: 16.13 mm
系列: IXFX64N50
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: PolarHV HiPerFET Power MOSFET
宽度: 5.21 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 30 S
下降时间: 22 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 85 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
单位重量: 1.600 g
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