IXFX80N50Q3规格参数_IXFX80N50Q3全国代理商/分销商

型号: IXFX80N50Q3
功能描述: N-Channel 500 V 1250 W 200 nC HiperFET Power Mosfet Through Hole - PLUS-247
制造商: IXYS
系列： HiPerFET™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 80A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 6.5V @ 8mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 200nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 10000pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 1250W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 65 毫欧 @ 40A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳： TO-247-3
封装形式Package： PLUS
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 500V
连续漏极电流ID： 80A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs