型号: IXGA30N120B3
功能描述: IGBT 晶体管 GenX3 1200V IGBT
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-263-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 2.96 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 60 A
Pd-功率耗散: 300 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: IXGA30N120
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 150 A
高度: 4.83 mm
长度: 9.65 mm
工作温度范围: - 55 C to + 150 C
宽度: 10.41 mm
商标: IXYS
集电极连续电流: 60 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: IGBTs
商标名: GenX3
单位重量: 2 g
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