型号: IXGN50N120C3H1
功能描述: IGBT 模块 High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV
在25 C的连续集电极电流: 95 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 460 W
封装 / 箱体: SOT-227 B-4
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
高度: 12.22 mm
长度: 38.23 mm
系列: IXGN50N120
宽度: 25.42 mm
商标: IXYS
安装风格: SMD/SMT
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
商标名: GenX3
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