型号: IXGR72N60A3H1
功能描述: IGBT 模块 Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 600 V
在25 C的连续集电极电流: 75 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 200 W
封装 / 箱体: ISOPLUS247-3
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
高度: 21.34 mm
长度: 16.13 mm
系列: IXGR72N60
宽度: 5.21 mm
商标: IXYS
安装风格: Through Hole
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 30
子类别: IGBTs
商标名: GenX3
单位重量: 5.300 g
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