型号: IXGT20N 60BD1
功能描述: IGBT Transistors 40 Amps 600 V 2.0 V Rds
制造商: IXYS
Status： Active
供应商封装形式： TO-268AA
最大栅极发射极电压： ±20
最大连续集电极电流： 40
欧盟RoHS指令： Compliant
最高工作温度： 150
包装宽度： 14(Max)
包装高度： 5.1(Max)
安装： Surface Mount
最大功率耗散： 150000
渠道类型： N
最大集电极发射极电压： 600
标签： Tab
PCB： 2
包装长度： 16.05(Max)
最低工作温度： -55
引脚数： 3
铅形状： Gull-wing
工厂包装数量： 30
连续集电极电流Ic最大： 40 A
系列： IXGT20N 60
单位重量： 0.158733 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO： 600 V
安装风格： SMD/SMT
封装： Tube
最大栅极发射极电压： +/- 20 V
最低工作温度： - 55 C
封装/外壳： TO-268AA-3
配置： Single
最高工作温度： + 150 C
RoHS： RoHS Compliant
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