型号: IXKK85N60C
功能描述: MOSFET 85 Amps 600V 36 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-264-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 85 A
Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 500 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: COOLMOS
封装: Tube
高度: 26.59 mm
长度: 20.29 mm
系列: IXKK85N60
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: CoolMOS Power MOSFET
宽度: 5.31 mm
商标: IXYS
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
单位重量: 10 g
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