型号: IXRFSM18N50
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMPD RF Power MOSFET
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 19 A
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Rds On-漏源导通电阻: 320 mOhms
输出功率: 370 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SMPD-15
封装: Tube
类型: RF Power MOSFET
正向跨导 - 最小值: 5 S
通道数量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 835 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
Qg-栅极电荷: 42 nC
工厂包装数量: 20
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
单位重量: 5 g
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