型号:  IXTA06N120P

功能描述:  MOSFET 0.6 Amps 1200V 32 Rds

制造商:  

制造商:  IXYS

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263AA-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  1.2 kV

Id-连续漏极电流:  600 mA

Rds On-漏源导通电阻:  34 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  13.3 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  42 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

高度:  4.5 mm

长度:  9.9 mm

系列:  IXTA06N120

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  9.2 mm

商标:  IXYS

正向跨导 - 最小值:  0.28 S

下降时间:  34 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  37 ns

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  35 ns

典型接通延迟时间:  19 ns

单位重量:  2.300 g