型号: IXTA160N04T2
功能描述: MOSFET 160Amps 40V
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 160 A
Rds On-漏源导通电阻: 5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 79 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 250 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
产品: TrenchT2
系列: IXTA160N04
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: TrenchT2 Power MOSFET
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 38 S, 62 S
下降时间: 16 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
单位重量: 2.300 g
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