型号: IXTA1N120P
功能描述: MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 1 A
Rds On-漏源导通电阻: 20 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 63 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 4.5 mm
长度: 9.9 mm
系列: IXTA1N120
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 9.2 mm
商标: IXYS
下降时间: 27 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 28 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 54 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
单位重量: 2.300 g
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：黄灿伟
电话：13266678966
Q Q:
联系人：黎生
电话：15015051608
Q Q:
联系人：朱
电话：13823781864
Q Q:
