型号: IXTA200N075T7
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 160nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 6800pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 430W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 5 毫欧 @ 25A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-263-7（IXTA..7）
封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：周先生
电话：13537512223
Q Q:
联系人：杨经理
电话：15371499151
Q Q:
联系人：彭传凤
电话：15889626113
Q Q:
