型号: IXTA32P05T
功能描述: P-Channel 50 V 39 mOhm Enhancement Mode Power MOSFET
制造商: IXYS
系列： TrenchP™
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 32A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 46nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1975pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±15V
功率耗散（最大值）： 83W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 39 毫欧 @ 500mA，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
封装形式Package： TO-263AA
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 50V
连续漏极电流ID： 32A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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