型号: IXTA3N120
功能描述: MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263AA-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 3 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 42 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 4.83 mm
长度: 10.41 mm
系列: IXTA3N120
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 9.65 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 1.5 S
下降时间: 18 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
单位重量: 1.600 g
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