型号:  IXTA3N120

功能描述:  MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds

制造商:  

制造商:  IXYS

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263AA-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  1.2 kV

Id-连续漏极电流:  3 A

Rds On-漏源导通电阻:  4.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  42 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  150 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

高度:  4.83 mm

长度:  10.41 mm

系列:  IXTA3N120

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  9.65 mm

商标:  IXYS

正向跨导 - 最小值:  1.5 S

下降时间:  18 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  15 ns

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  32 ns

典型接通延迟时间:  17 ns

单位重量:  1.600 g